igbt什么时候发明的_igbt什么时候发明的

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igbt出现在什么年代

ˋ▂ˊ 恩玖科技申请分离式IGBT模组智能控制专利,提高模组的可靠性金融界2024年11月4日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市恩玖科技有限公司申请一项名为“一种分离式IGBT模组的智能控制方法、系统和存储介质”的专利,公开号CN 118889835 A,申请日期为2024年10月。专利摘要显示,本发明供了一种分离式IGBT模组的智能控制方法、系统和存...

igbt发明人

igbt发展

≥﹏≤ 华北电力科学研究院申请一种 IGBT 短路电流下降过程的分析方法及...本发明提供一种 IGBT 短路电流下降过程的分析方法及装置。该基于栅极信号的 IGBT 短路电流下降过程的分析方法包括:根据栅极电源电压、栅极关断电阻、栅极回路寄生电感、当前下降时刻和栅极输入电容确定芯片栅极电压;根据所述芯片栅极电压和阈值电压确定集电极电流;根据所...

igbt发展到第几代了

igbt制造商

⊙０⊙ 华北电力申请IGBT短路电流上升过程监测专利,更经济、安全本发明提供一种IGBT短路电流上升过程的监测方法及装置。该IGBT短路电流上升过程的监测方法包括:根据栅极电源电压、栅极开通电阻、栅极回路寄生电感、当前上升时刻和栅极输入电容确定芯片栅极电压;根据所述芯片栅极电压和阈值电压确定集电极电流;根据所述集电极电流、直...

igbt的发展历程

igbt发展历程与研究

华北电力科学研究院有限责任公司申请双极型线圈和GMR组合的IGBT...金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,华北电力科学研究院有限责任公司申请一项名为“双极型线圈和GMR组合的IGBT电流状态测量装置”的专利,公开号CN 118837608 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种双极型线圈和GMR组合的IGBT电流状...

igbt目前的发展

上海韦尔半导体申请沟槽栅极型IGBT及其驱动方法专利,减少损耗金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,上海韦尔半导体股份有限公司申请一项名为“沟槽栅极型IGBT及其驱动方法”的专利,公开号 CN 118825054 A,申请日期为2023年5月。专利摘要显示,本发明的课题在于根据高频使用、低频使用之类的使用条件来减少损耗。本发明...

科芯半导体申请IGBT芯片及其制造结构专利,能够对芯片本体以及键合...金融界2024年10月29日消息,国家知识产权局信息显示,青岛科芯半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT芯片及其制造结构”的专利,公开号CN 118824969 A,申请日期为2024年7月。专利摘要显示,本发明公开了一种IGBT芯片及其制造结构,涉及芯片技术领域,包括设置在DCB基板上的...

合肥中恒微申请 IGBT 芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合专利,能够...金融界 2024 年 10 月 24 日消息,国家知识产权局信息显示,合肥中恒微半导体有限公司申请一项名为“IGBT 芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键合工艺”的专利,公开号 CN 118800669 A,申请日期为 2024 年 6 月。专利摘要显示,本发明公开了 IGBT 芯片表面镀铜后焊接铜片进行铜线键...

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中国西电获得发明专利授权:“压接式IGBT结构及功率组件”证券之星消息,根据企查查数据显示中国西电(601179)新获得一项发明专利授权,专利名为“压接式IGBT结构及功率组件”,专利申请号为CN202311529446.9,授权日为2024年3月8日。专利摘要:本发明属于一种IGBT结构,针对现有IGBT需要增加通流能力时,采用多个IGBT并联的方式,导致...

格力电器获得发明专利授权:“一种沟槽栅IGBT制作方法”证券之星消息,根据企查查数据显示格力电器(000651)新获得一项发明专利授权,专利名为“一种沟槽栅IGBT制作方法”,专利申请号为CN2019... 本发明由于采用了较厚的多晶硅,故在减薄多晶硅工序后仍保留了厚的多晶硅,在进行N型离子注入的时候无需再使用光刻版为掩膜,从而减少了一...

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＋＾＋ 瑞淞电子申请集成整流电流检测续流IGBT模块专利,减少模块整体所...金融界2024年10月22日消息,国家知识产权局信息显示,广东瑞淞电子科技有限公司申请一项名为“一种集成整流电流检测续流IGBT模块”的专利,公开号CN 118763868 A,申请日期为2023年6月。专利摘要显示,本发明涉及一种集成整流电流检测续流IGBT模块,其包括IGBT模块、电路载...

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