IGBT是什么器件_igbt是什么器件

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˙△˙ 数捷电气申请用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热专利,有效避免 ...金融界 2024 年 12 月 2 日消息,国家知识产权局信息显示,上海数捷电气有限公司申请一项名为“用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热方法和系统”的专利,公开号 CN 119050067 A,申请日期为 2024 年 10 月。专利摘要显示,本发明提供用于 IGBT 器件的对流与水冷联动散热方法和系统...

青岛佳恩半导体取得高密度沟槽栅IGBT器件专利,能够对IGBT芯片组件...金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,青岛佳恩半导体有限公司取得一项名为“一种高密度沟槽栅IGBT器件”的专利,授权公告号CN 222051746 U,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本实用新型涉及半导体产品技术领域,公开了一种高密度沟槽栅IGBT器件,所述IGBT...

高新发展:公司半导体业务专注于IGBT功率半导体芯片、器件的设计、...金融界11月27日消息,有投资者在互动平台向高新发展提问:董秘你好,请问一下公司半导体主要用在哪些场景?公司回答表示:公司半导体业务目前主要专注于IGBT功率半导体芯片、器件的设计、开发、生产和销售。具体详见公司2024年8月28日披露的2024年半年度报告第三节“管理层...

＋△＋ 东莞市富其扬电子科技取得一种面向高功率密度IGBT器件的散热温度...金融界2024年11月27日消息,国家知识产权局信息显示,东莞市富其扬电子科技有限公司取得一项名为“一种面向高功率密度IGBT器件的散热温度控制方法”的专利,授权公告号 CN 118708003 B,申请日期为2024年8月。

北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 118983335 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法,涉及半导体芯片制造技术领域...

成都高投芯未申请一种IGBT器件制备方法及半导体器件专利,改善半...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN 118983218 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制备工艺。...

无锡商甲半导体取得高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法专利金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,无锡商甲半导体有限公司取得一项名为“一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118448449 B,申请日期为2024年7月。

无锡硅动力取得一种集成纵向 FRD 的 RC-LIGBT 器件及其制作工艺专利金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,无锡硅动力微电子股份有限公司取得一项名为 “一种集成纵向 FRD 的 RC-LIGBT 器件及其制作工艺”的专利,授权公告号 CN 118645523 B,申请日期为 2024 年 8 月。

深圳市冠禹半导体取得一种IGBT器件及其制造方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT器件及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118712218 B,申请日期为2024年8月。

粤电力A申请IGBT功率器件压接装配方法及装配专利,能够解决压接型...金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,广东电力发展股份有限公司及广东珠海金湾发电有限公司申请一项名为“IGBT功率器件压接装配方法及装置“,公开号CN202410407870.4,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明适用于半导体技术领域,提供了一种IGBT功率器...