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IGBT是什么器件_IGBT是什么器件

时间:2024-11-23 23:15 阅读数:9936人阅读

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北一半导体申请一种 IGBT 器件及其制作方法专利,大幅提升器件开关速度金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,北一半导体科技(广东)有限公司申请一项名为“一种 IGBT 器件及其制作方法”的专利,公开号 CN 118983335 A,申请日期为 2024 年 8 月。专利摘要显示,本发明提供了一种 IGBT 器件及其制作方法,涉及半导体芯片制造技术领域...

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成都高投芯未申请一种IGBT器件制备方法及半导体器件专利,改善半...金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,成都高投芯未半导体有限公司申请一项名为“一种IGBT器件制备方法及半导体器件”的专利,公开号CN 118983218 A,申请日期为2024年8月。专利摘要显示,本发明提供了一种IGBT器件制备方法及半导体器件,涉及半导体制备工艺。...

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∪0∪ 无锡商甲半导体取得高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法专利金融界2024年11月22日消息,国家知识产权局信息显示,无锡商甲半导体有限公司取得一项名为“一种高可靠性IGBT器件终端结构及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118448449 B,申请日期为2024年7月。

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无锡硅动力取得一种集成纵向 FRD 的 RC-LIGBT 器件及其制作工艺专利金融界 2024 年 11 月 22 日消息,国家知识产权局信息显示,无锡硅动力微电子股份有限公司取得一项名为 “一种集成纵向 FRD 的 RC-LIGBT 器件及其制作工艺”的专利,授权公告号 CN 118645523 B,申请日期为 2024 年 8 月。

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中国三峡建工(集团)等申请一种基于相变冷却的压接 IGBT 三电平功率...本发明涉及一种基于相变冷却的压接 IGBT 三电平功率单元结构,相变冷却功率组件和支撑电容组件由前至后依次布置,三电平阀串水平放置,相邻相变冷却散热器之间安装有功率器件,相变冷却散热器竖直摆放,三电平阀串的上部和下部安装相变工质连接管,阀串直流连接排安装在三电平阀...

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深圳市冠禹半导体取得一种IGBT器件及其制造方法专利金融界2024年11月13日消息,国家知识产权局信息显示,深圳市冠禹半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT器件及其制造方法”的专利,授权公告号 CN 118712218 B,申请日期为2024年8月。

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+ω+ 德力芯取得一种栅极结构及IGBT器件专利金融界2024年11月6日消息,国家知识产权局信息显示,无锡德力芯半导体科技有限公司取得一项名为“一种栅极结构及IGBT器件”的专利,授权公告号CN 110444592 B,申请日期为2019年9月。

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上海埃积半导体取得一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件...金融界2024年11月1日消息,国家知识产权局信息显示,上海埃积半导体有限公司取得一项名为“一种IGBT单管结构及制作方法、半导体功率器件”的专利,授权公告号 CN 118645502 B,申请日期为2024年8月。

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华北电力申请一种用于IGBT器件的缺陷状态评估专利,能够通过观测...金融界2024年10月31日消息,国家知识产权局信息显示,华北电力科学研究院有限责任公司、国家电网有限公司申请一项名为“一种用于IGBT器件的缺陷状态评估方法及装置”的专利,公开号 CN 118837703 A ,申请日期为 2024 年 7 月。专利摘要显示,本公开提供了一种用于IGBT器件的...

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粤电力A申请IGBT功率器件压接装配方法及装配专利,能够解决压接型...金融界2024年7月5日消息,天眼查知识产权信息显示,广东电力发展股份有限公司及广东珠海金湾发电有限公司申请一项名为“IGBT功率器件压接装配方法及装置“,公开号CN202410407870.4,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明适用于半导体技术领域,提供了一种IGBT功率器...

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