结构性存款什么时候停止_结构性存款什么时候停止

ˋ△ˊ *** 次数：1999998 已用完，请联系开发者***

ˇ▂ˇ 长鑫存储申请半导体结构及其制备方法专利,提供一种半导体结构及其...存储技术有限公司申请一项名为“半导体结构及其制备方法“,公开号CN117352384A,申请日期为2022年6月。专利摘要显示,本公开实施例提供一种半导体结构及其制备方法,所述方法包括:在刻蚀层上形成复合硬掩膜层,复合硬掩膜层包括硬掩膜层和被硬掩膜层四周包围的刻蚀停止层;在...

●﹏● 三星取得半导体存储器件专利,优化半导体存储器件的结构三星电子株式会社取得一项名为“半导体存储器件“,授权公告号CN109841623B,申请日期为2018年11月。专利摘要显示,根据本发明构思的一示例实施方式的半导体存储器件可以包括:多个下电极,其位于衬底上并彼此间隔开;以及蚀刻停止图案,其位于衬底上并围绕所述多个下电极中的...

三星取得制造三维半导体存储器件的方法专利,该方法可以包括使用该...提供了制造三维半导体存储器件的方法。一种方法可以包括:在衬底上形成模结构,该膜结构包括沟道区域和在沟道区域之间的非沟道区域;在模结构上形成多层掩模层,该多层掩模层包括顺序地堆叠的第一掩模层、蚀刻停止层和第二掩模层;形成暴露沟道区域中的模结构的掩模孔;形成暴露...