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eeprom怎么写入_eeprom怎么写入数据

时间:2024-07-27 05:31 阅读数:3467人阅读

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帝奥微申请EEPROM单元专利,能实现隧穿电容的擦写次数提升至现有...江苏帝奥微电子股份有限公司申请一项名为“一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺“,公开号CN202410471483.7,申请日期为2024年4月。专利摘要显示,本发明公开了一种EEPROM单元、晶体结构及制备工艺,包含浮栅控制电容、浮栅擦除隧穿电容、浮栅写入隧穿电容、浮栅MO...

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通用五菱汽车申请存储方法及系统专利,实现控制器工作过程数据的...控制器向EEPROM芯片写入数据时,将数据由第一缓存数组的进缓存数据索引开始写入第一缓存数组,将数据地址对应写入第二缓存数组;控制器空闲状态下,由第一缓存数组的出缓存数据索引开始按照预设的规则读取第一缓存数组中的数据,并对应读取第二缓存数组的数据地址;将读取到的...

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恒银科技取得金融设备循环机芯日志信息写入方法及读取方法专利,...本发明涉及一种金融设备循环机芯日志信息写入方法及读取方法,写入方法是用flash存储循环机芯记录的日志数据,用EEPROM存储flash存储的日志数据的数据据地址;通过循环写入法向flash中写入日志数据,在一个flash扇区的日志数据写入成功后在写入成功的flash扇区的首4个字节存入上...

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广电计量:具备专业设备和测试团队进行存储器测试,暂未开展相关业务金融界3月27日消息,有投资者在互动平台向广电计量提问:你好董秘请问公司有没采用算法图形和APG技术实现存储器地址自动累加、翻页功能,实现存储器数据的自动写入、输出比较,实现了对EEPROM、SRAM、NOR fl ash、NAND fl ash、EMMC等存储芯片读写擦除功能的自动测试...

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