pn结的形成过程_pn结的形成过程

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扬杰科技申请一种保护沟槽栅氧的SiCUMOSFET器件及制备方法专利,...本发明在SiC UMOSFET中形成了PN结二极管和肖特基二极管两种结构,使得SiC UMOSFET在续流过程中肖特基二极管打开,作为泄流路径,降低了续流损耗,而在通过大浪涌电流时,PN结二极管打开,作为另一泄流路径,提高了器件的抗浪涌电流能力。并且本发明中沟槽区表面的P区也避免...

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南玻A申请绿色多晶电池片制备方法专利,使用等离子体增强化学气相...包括以下步骤:对多晶硅片依次进行表面制绒、扩散制备PN结、酸刻蚀去除磷硅玻璃层和通过臭氧形成二氧化硅薄膜;采用等离子体增强化学气相沉积方法二氧化硅薄膜的表面依次沉积第一氮化硅薄膜、第二氮化硅薄膜和第三氮化硅薄膜,经丝网印刷烧结电注入,得所述绿色多晶电池片。...

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台积电申请半导体结构、传感器器件及形成光电探测器的方法专利,...p型区域和n型区域形成PN结。内部吸收层凹入到半导体衬底中,其中,内部吸收层具有朝向雪崩区域突出的底部突起。外围吸收层位于内部吸收层的侧壁和内部吸收层的底部上,并且还从该侧壁延伸至底部突起。内部吸收层和外围吸收层共享共同的半导体材料并且具有比半导体衬底小的...